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SiC MOSFET在开关状态下工作，然而 ，了解其在某些情况下(如驱动器故障或设计师编程的特定目的)线性工作区的行为也是很有用的，今天利发国际就来聊聊电源设计之线性工作区中的SiC MOSFET。
为了应对应用需求和独特客户要求的不断提升，英飞凌科技股份公司决定将SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压范围 。
UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母缩写，也就是不间断电源装置，指的是电力供应网络与需要保护的设备之间的连接设备
MOSFET晶体管能够处理大电压和电流，正是由于这一特点，它被广泛追求连接到电路或微控制器重载 ，本文将从实践的角度分析如何构建简单的MOSFET开关
在这篇电力电子教程中 ，利发国际将研究一种工作温度显著高于环境温度的碳化硅(SiC)整流器的行为。当利发国际设想一个电路时 ，可以将其比作一个必须在“高温环境”中工作的电机牵引系统。
高频整流模块是一种重要的电子元器件，广泛应用于各类电子设备中 ，也是属于功率器件的一种 ，这篇文章利发国际将深入解析高频整流模块的原理
近日，中国国家集成电路产业投资三期股份有限公司(简称“国家大基金三期”)正式成立，标志着中国半导体产业发展进入新的里程碑。
LED照明技术因其高能效和精细的亮度调控而受到青睐。这些系统提供了调光功能，让用户能够根据个人喜好调节光线亮度 ，同时减少能源消耗 。今天利发国际介绍一种基于8位MCU的开关模式可调光LED驱动器解决方案 。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和晶闸管(SCR)在现代工业控制和电力电子领域 ，是两种常用的半导体开关元件 ，它们各自承载着不同的电力调控任务
MOSFET在切换过程中会产生损耗 ，这些损耗不仅影响了系统的效率 ，还会导致器件过热，甚至损坏。因此，降低MOSFET的开关损耗是提高整体系统效率和可靠性的关键。
您可以通过改善热传导和散热或减少开关损耗来应对这些挑战。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 都是 WBG 技术，已成为传统硅 (Si) 半导体的可行替代品。
通常，人们会忽视栅极驱动器在优化功率晶体管整体运行方面的作用 ，就好像 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 是独立元件一样。
该计划标志着陕西省在新能源汽车、光伏、智能电网、储能 、轨道交通 、5G通信和国防军工等关键领域将进一步强化其技术优势，并借助这些优势推动第三代半导体技术的创新与应用。
现代电子应用需要高开关频率才能实现相应的高效率，功率 MOSFET 是高功率应用中的重要组件 ，它们提供相对较低的栅极电荷，非常适合中高功率用例。
SiC 是一种宽带隙 (WBG) 材料 ，用作半导体材料时比硅具有多种优势(例如 ，带隙宽度是硅的 3 倍，击穿电场强度是硅的 10 倍) 。与更传统的 Si 或 IGBT 相比，使用 SiC 功率 MOS...
同步整流技术在提升电源转换效率方面发挥着越来越重要的作用，它通过替换传统的整流二极管来减少功率损耗，尤其是在低压高电流输出的应用中效果显著。
在高压直流输电、大功率电机驱动以及可再生能源系统中，600V功率模块的需求日益增长。这种功率模块因其高效能、高可靠性和广泛的应用范围而受到市场的青睐。
霍尔器件在现代电子技术中起着至关重要的作用。无论是汽车、家电、工业控制，甚至是智能手机，霍尔器件的身影无处不在
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