利发国际

MUSiCel 研究项目的目标是研究和测试创新组件和方法，为农业和建筑机械提供高效、本地零排放的能源供应。供电系统的核心是集成到车辆中的移动式紧凑型高性能DC-DC 转换器

英飞凌与 SK Siltron 现已就 SiC 晶圆生产签订长期供应商协议

电力系统和物联网领域的全球参与者英飞凌科技最近与全球半导体制造商 SK Siltron CSS 达成了一项协议。该协议规定SK Siltron为英飞凌生产150毫米碳化硅晶圆。

用于提高汽车电子功率密度的创新MOSFET封装

由于 MOSFET 在电源管理设计中提供关键的开关功能，因此选择具有物理、热和电气属性优化平衡的器件对于提高功率密度至关重要。功率 MOSFET 封装的最新创新提高了性能

碳化硅芯片能取代硅芯片吗?深入探究材料科技的未来走向

碳化硅(SiC)作为一种新兴的半导体材料，以其更优越的性能成为了行业内的一个热门话题。让利发国际深入探究，碳化硅芯片是否有能力取代硅芯片，以及这一变革对未来科技的影响。

碳化硅模块是什么？引领未来工业的革命性材料

碳化硅模块以其独特的性能优势，成为了众多领域瞩目的焦点。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料，因其优异的物理、化学和电学属性，被广泛应用于电力电子、汽车、航天、核能等高端领域。

提升碳化硅(SiC)的机械性能

与硅相比，使用宽带隙半导体的最大改进之一是其电气性能，但这并非没有其自身的问题

利用 LED 驱动器模块应对汽车照明的常见挑战

本文介绍了当今照明设计人员面临的几个主要限制，并探讨了如何通过符合 AEC1 要求的新型汽车 LED 模块来解决这些问题。

工程碳化硅(SiC)衬底有望实现更高的可持续性和性能

更广泛的采用取决于进一步降低成本和批量生产，以满足全球电气化程度不断提高对功率半导体的强劲预测需求。在本文中，利发国际将讨论工程 SiC 衬底的潜在优势。

2024年GaN功率半导体预测

在供给侧的可再生能源电力转换应用(例如太阳能逆变器)和需求侧的交通电气化，都是使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)功率半导体取得优势的例子功率转换效率和功率密度。

更高的电压对碳化硅(SiC)器件意味着什么?

碳化硅 (SiC) 器件具有更高的电子迁移率、更低的损耗以及在更高温度下工作的能力，因此在具有挑战性的功率应用中得到了广泛接受。

中国瑞士科学家团队联手研发新材料“光学硅”芯片

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院的Tobias Kippenberg团队合作，成功开发出一种新型的「光学硅」芯片，即钽酸锂集成光芯片，共同揭开了光芯片技术的新篇章。

碳化硅mosfet的基本结构与原理

碳化硅(SiC)MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性

IPM模块与IGBT模块的区别解析

IPM模块是一种集成电路，它集成了IGBT晶体管与驱动电路，并且常常整合了失效保护功能和系统控制接口。

半桥驱动芯片和全桥驱动芯片区别

半桥和全桥驱动芯片作为市场上两种主流的解决方案，它们各自拥有独特的特点和适用场合。今天利发国际将深入探讨半桥驱动芯片与全桥驱动芯片的本质区别

SiC芯片和模块你了解多少