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在现代电子系统中，固态继电器(SSR)和CMOS开关是两种常见的开关技术，它们在不同的应用场景中发挥着重要作用。

理想汽车携手意法半导体，以SiC MOSFET技术加速高压电动车市场布局

在新能源汽车领域，理想汽车与意法半导体(ST)达成了一项重要的碳化硅(SiC)长期供应协议。

一文读懂什么是宽带隙 (WBG) 半导体

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 属于宽带隙 (WBG) 半导体类别，与传统硅半导体相比具有多种优势，而传统硅半导体现已达到性能极限。

高功率SiC模块牵引逆变器加速汽车以外的移动电气化

　工程师需要尽可能获得的所有帮助来快速开发新的电力驱动器。差异不仅仅体现在尺寸、形状和重量限制方面。功能和电气安全要求以及环境条件在很大程度上取决于应用和地理

SemiQ 推出高频、高功率 SiC MOSFET 模块

SemiQ 在其碳化硅 (SiC) N 沟道 MOSFET 产品组合中添加了一组全波 H 桥模块。这些部件专为需要高电压、高速和高功率部件的三重威胁应用而设计。

意法半导体推出汽车级惯性模块，支持高达 ASIL B 的功能安全应用

意法半导体最近推出了一款新型汽车级惯性感应模块，名为ASM330LHBG1，这种模块集成了三轴加速度计和三轴陀螺仪，非常适合用于汽车领域。

深入了解新一代 MOSFET 以及 SiC 与 GaN 的未来

新一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术、以及硅碳化物(SiC)和氮化镓(GaN)材料的出现，正在引领着能源转换效率的革新浪潮。本文将深入探讨这些前沿技术的特点、应用前景以及它们对未来电...

集成电流传感器如何推动轻型交通电气化?

由于如此关注电动汽车，很容易忽视轻型交通领域，特别是对电动两轮和三轮车辆不断增长的需求。虽然电动汽车无疑吸引了交通领域的大部分关注和关注，所以集成电流传感器如何推动轻型交通电气化?

只有全硅碳化(SiC)物才是"真正"的碳化硅吗?

与任何其他硅器件相比，单极 SiC MOSFET 的开关速度更快，开关损耗更低，从而可以大幅提高开关频率，从而降低总体功率损耗并提高功率输出效率。

第七代 IGBT 技术与三电平拓扑相结合的优势

赛米控推出了来自两家不同制造商的950V 和 1200V第 7 代 IGBT 。自上一代产品推出以来，这两款第 7 代 IGBT 都经历了根本性改进。

SEMI报告2024年第一季度全球硅晶圆出货量下降5%

SEMI 硅制造商集团 (SMG)报告称，2024 年第一季度全球硅晶圆出货量环比下降 5.4%，至 28.34 亿平方英寸。与 2019 年第一季度的 32.65 亿平方英寸相比，下降了 13.2%...

gaa mosfet能否取代fin mosfet？

工程师们考虑了鳍形 FET 等多栅极器件，使利发国际所熟知的 FinFET 晶体管成为现实。

可编程IGBT栅极驱动器实现更高效的未来

随着数字化和可持续发展计划的发展，大型电气系统在日常生活中发挥着越来越重要的作用。然而，有效控制这些高压系统可能具有挑战性。东京大学的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 可编程栅极驱动器提供了一些改进。

金刚石二极管可以为高压设备供电吗?

金刚石具有优异的导热性、高载流子迁移率和大带隙，使其成为电力电子半导体中很有前途的材料，那么，金刚石半导体材料做成的二极管可以为高压设备供电吗?

研究人员创造出世界上第一个石墨烯半导体