成立于 2002 年，是一家功率半导体公司，专注于在三星半导体 10 多年掌握功率半导体设计技术、Fab 工艺技术和 Fab 生产技术的工程师。

　　SemiHow科技于2004年与华润微电子有限公司签署《技术支持及代工协议》
，支持华润微电子的Planar mosfet制程技术
，并在华润微晶圆厂生产代工晶圆
，并于2005年开发并推出HV MOSFET。韩国和中国第一家量产高压MOSFET进入中国和韩国市场
。

　　此后，SemiHow与FMIC、Skysilicon、华虹宏力等国内代工公司合作
，持续推出低压沟槽MOSFET
、可控硅、双向晶闸管、NPT IGBT、屏蔽栅沟槽MOSFET、超级结MOSFET产品
。

　　并在移动充电器
、适配器、消费电子、PC、EV充电器、网络
、服务器、LED照明等市场上以世界一流的技术获得认可。

　　2018年，SemiHow科技与三星代工厂(“SF”)签署战略合作伙伴关系，在SF 8英寸生产线上开发和生产Power Discrete产品。2019年，作为第一个开发系列，利发国际开发了超过110种产品(600-900伏)的超级结S3 MOSFET(Rsp18级)和平面MOSFET 800,900伏产品。

　　随后
，不断推进FS(Field Stop)IGBT、SGT MOSFET、Gen2 SJMOSFET的开发。2023年，利发国际发布了“Q4 FS IGBT
、SGT MOSFET”产品
，2024年，计划推出“Q1 Gen2 SJ MOSFET”和“Q2 IGBT功率模块”产品。

　　2020年起，SemiHow功率分立产品80%以上将由SF 8英寸晶圆厂和Synergy Power生产

，凭借SemiHow20年全球技术竞争力和Know-How以及四大竞争力(晶圆厂产能
、质量
、交期、成本)的顺丰8寸线能够满足任何客户的需求。

　　发展历史：

　　2023年

　　·完成1200V级IGBT开发
。

　　·总部扩建并迁至仁川青罗
。

　　2022年

　　·批准 Cuckoo Electronics 感应系列中 650 伏和 1400 伏等级的所有 IGBT 型号。

　　·被产业通商资源部认定为1000万美元出口冠军。

　　·全球最大矿机公司比特大陆已获批，为首批供货厂商
。

　　·华硕 ATX Power 已获得供货批准
。

　　2021年

　　·完成650伏和1400伏等级的IGBT开发
。

　　·中小企业和初创企业部长的嘉奖
。

　　2020年

　　·开始在 SF 开发 650 伏和 1400 伏等级的场截止 IGBT。

　　2019年

　　·三星代工厂(“SF”)8 英寸工厂开发了超过 Super Junction(“SJ”)MOSFET 600-900V 的 110 种产品。

　　·将SemiHow屏蔽栅沟槽(“SGT”) MOSFET工艺和普通低压沟槽(“LVT”) MOSFET工艺移植到SF 8英寸晶圆厂
。

　　2018年

　　·与SF事业部签订合同
，将SemiHow Process技术移植到SF 8英寸工厂，并在SF生产SemiHow SJ MOSFET、SGT MOSFET
、Planar MOSFET、FS IGBT产品
。

　　·完成SemiHow SJ MOSFET工艺(Epi Stack技术)和Planar MOSFET 800,900V到SF 8英寸工厂的移植。

　　·SF 8英寸工厂开发的SJ MOSFET产品已获得三星移动部门的认可并交付
。

　　2016年

　　·三星超级结MOSFET移动充电器销售额突破500万美元

　　2015, 16年

　　·为三星Galaxy系列充电器供应约1.1亿个700V SJ MOSFET。

　　2014年

　　·采用深沟槽技术开发 700v SJ MOSFET
，并已获批准用于三星 Galaxy S5、Note4 充电器。

　　2012年

　　·三星 Galaxy 系列充电器的高压 MOSFET 产品和洗衣机应用的 Triac 产品获得认可

。

　　·开发晶闸管(Triac、SCR)

　　2010年11月

　　·在DB Hitech 8inch Fab开发Power Switch MCP(PWM IC+MOSFET)和PFC IC。采用加拿大Dalsa BCDMOS 8英寸工艺开发Soc(PWM IC+MOSFET)

　　2008年9月10日

　　·在国宇、中环和FMIC 6英寸工厂开发Gen2、Gen3
、Gen4 Planar MOSFET
。(SemiHow'工艺/生产技术移植)2007年

　　·注册为三星电子和中国/韩国大客户的功率分立供应商。

　　·实现销售额1500万美元
。

　　2004年

　　·在华润微电子有限公司5英寸工厂开发高压(500-900V)平面MOSFET

。(SemiHow'工艺/生产技术移植)

　　2003年

　　·在华山电子4英寸工厂开发用于PC电源应用的功率BJT(双极结型晶体管)700Volt 13005,7,9。(SemiHow'工艺/生产技术移植)2002年

　　2002年

　　·SemiHow成立