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SemiQ-MOD

Diode Module

GHXS100B120S-D3

GHXS100B120S-D3是SemiQ公司推出的一款高性能碳化硅(SiC)二极管模块 。这款模块采用了尖端的SiC技术,旨在为电力电子应用提供卓越的性能和可靠性 。
Diode Module
产品详情

  产品名称 :GHXS100B120S-D3 SIC二极管模块

  制造商:SemiQ

  产品简介: GHXS100B120S-D3是SemiQ公司推出的一款高性能碳化硅(SiC)二极管模块。这款模块采用了尖端的SiC技术,旨在为电力电子应用提供卓越的性能和可靠性 。SiC二极管因其低开关损耗 、高工作温度和优异的热特性而受到青睐,非常适合用于要求严格的电力转换和控制应用 。

  核心优势:

  高效能 :SiC材料的高带隙特性使得二极管能够在更高的频率下工作,从而减少能量损耗 ,提升系统整体效率。

  高温操作:GHXS100B120S-D3能够在高达175°C的结温下稳定运行 ,适合在极端环境中使用。

  快速开关:SiC二极管的快速恢复特性使其能够实现极快的开关速度 ,降低开关损耗。

  高电压能力 :该模块具有1200V的反向电压额定值 ,能够处理高电压应用。

  紧凑设计:模块的紧凑尺寸便于集成到各种电力电子设备中。

  应用范围: GHXS100B120S-D3 SiC二极管模块适用于多种高效率和高功率密度的应用 ,包括但不限于:

  电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电和动力系统

  太阳能逆变器

  工业电机驱动

  不间断电源(UPS)

  高频电源转换器

  关键参数:

  反向电压(V_RRM) :1200V

  正向电流(I_F):100A

  正向电压(V_F):典型值(在特定电流下)

  反向恢复时间(t_rr):典型值(在特定条件下)

  结温范围(T_j) :-55°C至175°C


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