高电压SiC MOSFET(>3 kV)的快速开关速度、高阻断电压和低导通电阻(Ron)为电压转换器实现了新的应用，从而带来了开关频率扩展、效率提高和损耗降低等优势。但在设计电压传感器时需要面对一些挑战，这些挑战与绝缘要求严格以及与10 kV SiC MOSFET相关的更高dv/dt(50-100 V/ns)有关
。有多种方法可以测量中压功率电压，其中一些方法包括霍尔效应传感器、电容分压器、电阻分压器和电阻-电容梯形网络。在理想条件下

，利发国际可以在电阻分压器中找到无限的带宽。在实际情况下，为了限制预计会引起RC时间常数延迟的带宽

，需要对输出进行滤波。

　　传感器设计

　　电源由两个隔离的栅极驱动器构成，每个驱动器为半桥，由10 kV SiC MOSFET组成
，并与6.8 uF子模块的电容结合形成MMC子模块
。

表1：电压传感器设计要求

每个子模块的标称电压为6.25 kV。表1总结了由转换器和MMC子模块确定的电压传感器设计要求。

图1：测试装置的电路图

图3展示了电压传感器设计的大致情况
。该设计面临的各种挑战包括信号保真度、隔离设计和紧凑性
。图1显示了电压传感器的电路图和测试设置。

　　提高抗噪声能力

　　通过检查和处理两个步骤来提高抗噪声能力：噪声源和接地验证

。

　　噪声源

　　在PEC中观察到的一些主要噪声源包括模数转换器、传感器和高电压dv/dt引起的地弹或电磁干扰(EMI)生产。为了传输来自电阻分压器的模拟信号，选择了基于Sigma-Delta的电压到频率转换器，以便通过光纤将其数字化传输

。使用MMC相支腿验证电压传感器的接地情况。图2显示了电压传感器的示意图。

图2：测试装置

　　接地验证

　　在测试过程中，传感器与半桥子模块的高dv/dt点连接。最终的MMC和子模块将经历相同的dv/dt。来自VFC的连续高输出需要具有0V的值。

　　测试设置

　　使用较低电压的设置来测试和调试电压传感器
，并通过将电阻分压器视为理想状态且存在于电路外进行测试。已观察到，除非在高电压环境中测试电压传感器，否则没有噪声问题
。使用一个子模块作为半桥来测试电压传感器
，并使用175 mH的电感作为负载。选择10 kHz的开关频率和300 Hz的基频用于此目的。

　　结果

　　本节将重点介绍上述所有改进和进展。表2描述了R1a、R1b、R2和Cfoll的数值
，也在图1中展示。通过增加SNR比来提高抗噪声能力
，这通过减少输入电压实现
。这会导致功率损耗增加，但允许对分压器进行准确测量

。

表2
：R1A、R1B、R2和CFERL的数值

Cfoll的值也增加以减少带宽。这提高了抗噪声能力，但由于电容增加意味着RC时间增加，因此引入了延迟。布局和屏蔽也得到了改进
，以提高信号完整性并减少传输线中的噪声耦合。

图3：电压传感器

　　结论

　　本文分析了一些旨在提高噪声传感器性能的技术。电压传感器的主要误差源是电阻分压器。其原因是，在IPC-2221的存在下
，需要在具有紧凑设计的情况下具有较大的绝缘距离
，同时具有10kV电压的SiC器件的高dv/dt。为了提高电压传感器抗噪声能力，考虑了各种要点，如
：增加SNR以减少带宽、更改高压电阻串的布局以及最终的屏蔽。使用了可重复生产且可靠的设计来测试抗噪声传感器。所有数据均来自可靠来源。

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