利发国际

MUSiCel 研究项目的目标是研究和测试创新组件和方法，为农业和建筑机械提供高效、本地零排放的能源供应。供电系统的核心是集成到车辆中的移动式紧凑型高性能DC-DC 转换器

用于提高汽车电子功率密度的创新MOSFET封装

由于 MOSFET 在电源管理设计中提供关键的开关功能，因此选择具有物理、热和电气属性优化平衡的器件对于提高功率密度至关重要。功率 MOSFET 封装的最新创新提高了性能

碳化硅芯片能取代硅芯片吗?深入探究材料科技的未来走向

碳化硅(SiC)作为一种新兴的半导体材料，以其更优越的性能成为了行业内的一个热门话题。让利发国际深入探究，碳化硅芯片是否有能力取代硅芯片，以及这一变革对未来科技的影响。

碳化硅模块是什么？引领未来工业的革命性材料

碳化硅模块以其独特的性能优势，成为了众多领域瞩目的焦点。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料，因其优异的物理、化学和电学属性，被广泛应用于电力电子、汽车、航天、核能等高端领域。

提升碳化硅(SiC)的机械性能

与硅相比，使用宽带隙半导体的最大改进之一是其电气性能，但这并非没有其自身的问题

利用 LED 驱动器模块应对汽车照明的常见挑战

本文介绍了当今照明设计人员面临的几个主要限制，并探讨了如何通过符合 AEC1 要求的新型汽车 LED 模块来解决这些问题。

工程碳化硅(SiC)衬底有望实现更高的可持续性和性能

更广泛的采用取决于进一步降低成本和批量生产，以满足全球电气化程度不断提高对功率半导体的强劲预测需求。在本文中，利发国际将讨论工程 SiC 衬底的潜在优势。

更高的电压对碳化硅(SiC)器件意味着什么?

碳化硅 (SiC) 器件具有更高的电子迁移率、更低的损耗以及在更高温度下工作的能力，因此在具有挑战性的功率应用中得到了广泛接受。

碳化硅mosfet的基本结构与原理

碳化硅(SiC)MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性

IPM模块与IGBT模块的区别解析

IPM模块是一种集成电路，它集成了IGBT晶体管与驱动电路，并且常常整合了失效保护功能和系统控制接口。

半桥驱动芯片和全桥驱动芯片区别

半桥和全桥驱动芯片作为市场上两种主流的解决方案，它们各自拥有独特的特点和适用场合。今天利发国际将深入探讨半桥驱动芯片与全桥驱动芯片的本质区别

SiC芯片和模块你了解多少

硅基半导体材料的传统极限逐渐显现，而碳化硅(SiC)作为一种新型宽禁带半导体材料，正以其卓越的性能在电力电子领域掀起一场革命。今天利发国际将带您深入了解SiC芯片和模块的特点

功率MOSFET工作原理详解：电子电路中的核心元件

功率mosfet(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)作为现代电子电路中至关重要的元件，广泛应用于电源管理、开关电路和放大器等领域。

低功耗MCU芯片是什么

在物联网(IoT)和便携式电子设备的浪潮中，低功耗微控制器单元(MCU)芯片已成为推动技术革新的关键因素。这些芯片以其卓越的能效比，为智能手表、健康监测器、智能家居设备等提供了持久的电池寿命和高效的数...

碳化硅二极管与普通肖特基二极管性能与应用的差异解析

二极管作为基础的半导体器件，其性能直接影响到整个电路的效率和稳定性。近年来，随着新材料技术的突破，碳化硅(SiC)二极管因其卓越的性能逐渐受到业界的关注。这篇文章将对比分析碳化硅二极管与传统肖特基二极...

PMOS管工作原理及详解：掌握半导体技术的核心