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赛米控推出了来自两家不同制造商的950V 和 1200V第 7 代 IGBT 。自上一代产品推出以来 ，这两款第 7 代 IGBT 都经历了根本性改进。
工程师们考虑了鳍形 FET 等多栅极器件 ，使利发国际所熟知的 FinFET 晶体管成为现实。
随着数字化和可持续发展计划的发展，大型电气系统在日常生活中发挥着越来越重要的作用。然而，有效控制这些高压系统可能具有挑战性。东京大学的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 可编程栅极驱动器提供了一些改进。
金刚石具有优异的导热性 、高载流子迁移率和大带隙，使其成为电力电子半导体中很有前途的材料，那么 ，金刚石半导体材料做成的二极管可以为高压设备供电吗?
功率 MOSFET 是功率密集型应用中的重要组件。它们提供相对较低的栅极电荷 ，非常适合中功率和高功率用例。较低的栅极电荷降低了驱动电流要求，从而实现了高频和更高的效率。本文探讨了中功率 MOSFET ...
设计大电流和高电压电路所面临的挑战非常复杂。如果在设计中添加高速或混合信号电路 ，挑战会更加严峻。在这种情况下 ，PCB制造就变得有点难以处理。
宽带隙器件可以实现超过 6 kW/L 的功率密度，这意味着功率密度提高了 3 倍。英飞凌将此数字用作使用 GaN HEMT 的三相 11 kw OBC 设计中的功率密度目标水平。在本文中，利发国际考虑了设...
让利发国际了解下什么是集成电流传感器 。简单来说 ，它是一种电子设备，可以测量和监控系统中的电流 。这种传感器是集成电路技术的一种应用，可以提供准确、稳定的电流测量 ，从而让各类电气设备更安全、更有效地运行 。
随着碳化硅(SiC) 作为半导体材料的普及不断增长 ，它成为具有广泛应用的下一代功率器件的重要参与者
由于其高效率、高功率密度和良好的动态响应 ，LLC 谐振转换器已成为中间 48 V 至 12 V 转换的首选拓扑。该拓扑结构与GaN 晶体管相结合的卓越性能已得到证明 。本文介绍了最新一代 GaN 器件如...
氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)正日益进入主流市场，因为它们提供了卓越的效率和紧凑的解决方案尺寸，从而在低功率和高功率转换应用中实现了卓越的功率密度。
在逆变器、转换器和电源等应用中实现高功率密度一直是一项重大挑战 ，也是现代 IGBT 进行优化以具有高开关频率能力的关键原因。与任何其他功率半导体器件一样，IGBT 也有局限性。
本文将深入探讨这两种进制的含义、转换方式以及在单片机编程中的应用 ，为单片机开发者提供全面的指导和帮助。
NMOS管和PMOS管。如果你对电子有那么一点点兴趣，或者是个专业的电子工程师，你肯定知道NMOS和PMOS是电子电路设计中的两个重要角色 。但问题来了，你知道怎么区分它们吗?
数字隔离芯片能替代光耦吗?本文将深入探讨数字隔离芯片与光耦的技术特性 、优势、局限性以及它们在实际应用中的表现，以提供给电子设计师在选择隔离方案时的参考依据 。
钽电容和电解电容作为两种常见的电容类型，因其独特的性能特点和应用场景而受到电子工程师的广泛关注。在当今的电子设计领域，电容器是不可或缺的基础元件之一，它们在电路中发挥着储能、滤波和信号耦合等多种功能。
这篇文章将深入探讨SiC MOSFET和IGBT的工作原理、性能特点及其应用差异，为专业人士和业余爱好者提供清晰的技术比较 。
在利发国际追求绿色能源和可持续发展的今天，逆变器已成为了必不可少的一部分 。这些巧妙的设备能够将直流电转换为交流电 ，使得太阳能等可再生能源的利用成为可能。
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