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碳化硅(SiC)技术作为一种新兴的功率半导体材料，以其高效能、高耐压和高频率的特性，正在迅速成为电动汽车充电解决方案中的重要一环。本文将详细探讨SiC在电动汽车充电中的优势

SemiQ宣布推出1700V SiC肖特基分立器件和双二极管模块

SemiQ将1,700V SiC肖特基分立二极管和双二极管模块引入其QSiC™产品系列。新设备满足了多种高需求应用的尺寸和功率要求，如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、感应加热器

首款4毫欧SiC JFET，重新定义功率器件标准

业界首款采用TOLL封装的4毫欧硅碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)。这一成果标志着在标准分立封装的650V至750V功率器件中实现了最低的导通电阻

直流电动机驱动介绍整流器与脉宽调制

直流电动机驱动器有多种类型，主要分为硅控整流器(SCR)和脉宽调制(PWM)驱动器两类。

汽车半导体市场短暂回落后展望增长，2024年下半年起需求预计回升

这一变化主要归因于电动汽车销售额的放缓，以及一级供应商(Tier 1)和原始设备制造商(OEM)客户在库存调整策略下的去库存压力，对汽车半导体供应商2024年第一季度的收入产生了影响。

cmos芯片的主要作用

CMOS芯片也叫做互补金属氧化物半导体，在现代电子设备中扮演着关键角色。它不仅仅是许多设备的核心组件之一，也是技术进步的象征。

大面积烧结技术提升高性能功率模块封装

在传统意义上，硅功率器件如IGBT或MOSFET通过焊接固定在金属陶瓷基板上，使用铝线键合作为互连接技术，并使用焊膏或导热脂将功率模块连接到底板或散热器

业界首款GaN智能功率模块(IPM)实现高效电机驱动

智能功率模块(IPM)通常用于提供紧凑、高效且安全的电机控制驱动。在本文中，利发国际将重点介绍业界首款基于GaN的IPM，目标应用包括家用电器和供暖、通风和空调(HVAC)系统。

下一代IGBT为太阳能逆变器储能和电机提供高效解决方案

第七代1200 V QDual3绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块，无需增加额外的热量或设计修改即可提供高达10%的功率提升。

中国工业和汽车芯片市场逆势而上，供应链本土化趋势明显

在全球芯片巨头德州仪器(TI)和意法半导体(ST)对2024年工业和汽车芯片市场前景表达悲观之际，中国芯片行业却展现出逆势而上的态势。

电机控制设计基本原理

从功能角度看，电机控制包括多个层级。例如，运动控制需要执行非常复杂且计算密集的控制算法。电机控制涵盖了广泛的应用范围，从简单的风扇和泵控制到复杂的工业控制问题，包括机器人和伺服机制。

高电压和高dv/dt环境下电压传感器的抗噪声能力

有多种方法可以测量中压功率电压，其中一些方法包括霍尔效应传感器、电容分压器、电阻分压器和电阻-电容梯形网络。在理想条件下，利发国际可以在电阻分压器中找到无限的带宽。在实际情况下，为了限制预计会引起RC时间...

碳(C)进步对电力设计的益处